多晶硅与单晶硅在扩散过程中的行为存在一些差异，这主要是由于它们的晶体结构不同所导致的。以下是多晶硅与单晶硅在扩散方面的比较：

1、同一多晶硅硅片上不同点的方块电阻的差别比单晶硅的差别大，这一点体现了多晶硅的晶粒方向和晶界对扩散结果的影响，多晶硅硅片上不同晶粒的晶向不同，不同晶向上磷的扩散系数等性质也不同，影响了方块电阻 ；相同扩散条件下，不同多晶硅片之间平均方块电阻的差别比单晶硅之间的差别大，温度较低时差别明显，这是由于不同多晶硅硅片晶粒和晶界的结构不同所导致的结果。

2、温度对单晶硅和多晶硅扩散结果影响的趋势相同，多晶硅的扩散结果随温度的变化起伏更大。在扩散温度较低时，多晶硅扩散后的方块电阻大于相同条件下的扩散单晶硅 ;在扩散温度较高时 ,多晶硅扩散后的方块电阻小于单晶硅。

由以上分析可知 ,多晶硅和单晶硅由于结构上的不同导致了相同扩散条件下所扩散的方块电阻不同 ,解释了在扩散温度较低时 ,多晶硅扩散后的方块电阻大于相同条件下的扩散单晶硅 ;在扩散温度较高时 ,多晶硅扩散后的方块电阻小于单晶硅的现象。扩散结果直接影响到 PN 结的质量 ,并对制太阳电池的后续步骤——印刷及烧结产生影响。用不同于单晶硅的扩散条件扩散出与生产工艺相匹配的 PN 结对提高多晶硅太阳电池效率 ,降低多晶硅太阳电池成本具有十分重要的意义。